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供应特价、现货3DD171B三极管** 库房现货
品牌：国产型号：3DD171B用途：放大结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：扩散性三极管功耗：1WW频率特性：50MHzMHz工作电压：50VV工作电流：10AA电流放大倍数：7-15反向击穿电压：10V穿透电流：10A极间反向饱和电流：5A工作电流：10A工作电压：50V穿透电流：10A蓝点：80-120倍橙点：25-40
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2019-06-18 |
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低价供应硅小功率开关三极管3CD4D
品牌：国产型号：三极管3CD4D用途：差分结构：PNP管原理：单极性（MOS/MES）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：120W频率特性：24MHz工作电压：120V工作电流：15A反向击穿电压：100V联系人：常瑞雪 QQ：1910036413 电话：18710353452 座机：029-88249926 地址：西安市雁塔区太白南路269号中天国
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2019-06-18 |
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供应特价、现货3DD167F三极管** 库房现货
品牌：国产型号：3DD167F用途：放大结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：扩散性三极管功耗：1WW频率特性：50MHzMHz工作电压：50VV工作电流：10AA电流放大倍数：7-15反向击穿电压：10V穿透电流：10A极间反向饱和电流：5A工作电流：10A工作电压：50V穿透电流：10A蓝点：80-120倍橙点：25-40
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2019-06-18 |
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供应特价、现货3CD1D三极管** 库房现货
品牌：国产型号：3CD1D用途：放大结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：扩散性三极管功耗：1WW频率特性：50MHzMHz工作电压：50VV工作电流：10AA电流放大倍数：7-15反向击穿电压：10V穿透电流：10A极间反向饱和电流：5A工作电流：10A工作电压：50V穿透电流：10A蓝点：80-120倍橙点：25-40倍
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2019-06-16 |
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供应特价、现货3CD1E三极管** 库房现货
品牌：国产型号：3CD1E用途：放大结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：扩散性三极管功耗：1WW频率特性：50MHzMHz工作电压：50VV工作电流：10AA电流放大倍数：7-15反向击穿电压：10V穿透电流：10A极间反向饱和电流：5A工作电流：10A工作电压：50V穿透电流：10A蓝点：80-120倍橙点：25-40倍
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2019-06-16 |
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3DD159系列 低频大功率三极管 3DD159A
品牌：国产型号：3DD159A用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：合金型三极管功耗：10W联系人：常瑞雪电话：18710353452QQ：1910036413地址：西安市雁塔区太白南路269号中天国际公寓5幢022308室NPN 硅低频大功率三极管 特点； 产品采用三重扩散工艺，抗烧毁能力强，二次击穿耐量
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2019-06-16 |
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供应特价、现货3CG2B三极管** 库房现货
品牌：国产型号：3CG2B用途：放大结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：扩散性三极管功耗：1WW频率特性：50MHzMHz工作电压：50VV工作电流：10AA电流放大倍数：7-15反向击穿电压：10V穿透电流：10A极间反向饱和电流：5A工作电流：10A工作电压：50V穿透电流：10A蓝点：80-120倍橙点：25-40倍
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2019-06-12 |
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供应特价、现货3CG2C三极管** 库房现货
品牌：国产型号：3CG2C用途：放大结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：扩散性三极管功耗：1WW频率特性：50MHzMHz工作电压：50VV工作电流：10AA电流放大倍数：7-15反向击穿电压：10V穿透电流：10A极间反向饱和电流：5A工作电流：10A工作电压：50V穿透电流：10A蓝点：80-120倍橙点：25-40倍
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2019-06-12 |
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